AgGaSe2 кристаллдары — 0,73 жана 18 мкм боюнча тилкелердин четтери
Продукт Description
Ho:YLF лазери менен 2,05 мкм менен сордурганда 2,5–12 мкм чегинде тюнинг алынган;ошондой эле 1,4-1,55 мкм менен сордурганда 1,9–5,5 мкм чегинде критикалык эмес фазага дал келүү (NCPM) операциясы.AgGaSe2 (AgGaSe) инфракызыл CO2 лазер нурлануусу үчүн эффективдүү жыштык эки эселенген кристалл экени далилденген.
Фемтосекунд жана пикосекунд режиминде коммерциялык жактан жеткиликтүү синхрондуу насостолуучу оптикалык параметрдик осцилляторлор (SPOPOs) менен айкалыштырып иштөө менен, AgGaSe2 кристаллдары Орто-IR аймагында сызыктуу эмес параметрдик төмөндөтүү (айырма жыштык генерациясы, DGF) натыйжалуу экендигин көрсөттү.Орто IR сызыктуу эмес AgGaSe2 кристалл коммерциялык жактан жеткиликтүү кристаллдардын ичинен эң чоң көрсөткүчтөрдүн бирине (70 pm2/V2) ээ, бул AGS эквивалентинен алты эсе көп.AgGaSe2 дагы бир катар белгилүү себептерден улам башка орто IR кристаллдарынан артык.Мисалы, AgGaSe2 азыраак мейкиндикке ээ жана чоңураак сызыктуу эмес жана эквиваленттүү айкындуулук аянтына ээ болгонуна карабастан, конкреттүү колдонмолор үчүн (мисалы, өсүү жана кесүү багыты) дарылоо үчүн оңой эмес.
Тиркемелер
● СО жана CO2 боюнча экинчи гармоникаларды генерациялоо - лазер
● Оптикалык параметрдик осцилятор
● 17 мкм чейин орто инфракызыл аймактарга ар кандай жыштык генератору.
● Ортодогу IR аймагында жыштыктарды аралаштыруу
Негизги касиеттери
| Кристалл структурасы | Тетрагоналдык |
| Cell Parameters | a=5,992 Å, c=10,886 Å |
| Эрүү чекити | 851 °C |
| тыгыздыгы | 5,700 г/см3 |
| Mohs Hardness | 3-3,5 |
| Абсорбция коэффициенти | <0,05 см-1 @ 1,064 мкм <0,02 см-1 @ 10,6 мкм |
| Салыштырмалуу диэлектрик константасы @ 25 МГц | ε11s=10,5 ε11t=12,0 |
| Термикалык кеңейүү Коэффицент | ||C: -8,1 x 10-6 /°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| Жылуулук өткөргүчтүк | 1,0 Вт/М/°C |
